特許

J-GLOBAL ID：200903074514790018

微細コンタクトホ-ルの形成方法

発明者： 田村 勝志
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-322817
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181088
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】 電極配線層と半導体基板との間の電気的接続が確実にでき、しかも電極配線層の配線切れを防止できる微細なコンタクトホ-ルの形成方法を提供する。【構成】 半導体基板の表面に、絶縁層とガラス層を積層状に形成した後、第一のレジストマスクを用いて、ガラス層に開口部を形成する。この後、ガラス層を加熱して溶融流動させ、開口部をなだらかにする。さらに、第二のレジストマスクを用いて、開口部の底部に露出した絶縁層の一部分を除去し、微細なコンタクトホ-ルを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に絶縁層とガラス層を積層状に形成する工程と、ガラス層の表面に第一のレジストマスクを形成後、ドライエッチングを施してガラス層を除去して開口部を形成する工程と、第一のレジストマスクを除去後、加熱処理して開口部をなだらかに形成する工程と、第二のレジストマスクを形成した後、ウエットエッチングを施して開口部の底部に露出した絶縁層の一部を除去してコンタクトホ-ルを形成する工程とからなる微細コンタクトホ-ルの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/302 M ,  H01L 21/306 F ,  H01L 21/90 C