縦型電界効果トランジスタを有する半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-309034
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145452
出願日： 1997年11月11日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】簡素な製造工程により製造することができ、サージ電圧に対する十分な破壊耐量を得ることができる縦型電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】 n型の低濃度ドレイン領域9の表面にp型のベース領域7a及び7bが設けられおり、ベース領域7a及び7b間には、ベース領域7a及び7bから離間してp型の拡散層1が設けられている。こうして、p型の拡散層1とn型の低濃度ドレイン領域9とによりサージ吸収用ダイオード1aが構成される。また、ベース領域7a及び7b内には、n型のソース領域3が設けられている。低濃度ドレイン領域9上でソース領域3の端部と拡散層1との間及び拡散層1同士の間には、ゲート酸化膜8及びゲート電極6が設けられている。こうして、縦型MOSFET部12が構成される。そして、サージ吸収用ダイオード1aの耐圧は縦型MOSFET部12の耐圧よりも低い。

請求項（抜粋）：

同一の第1導電型の半導体基板に相互に離間して設けられた複数個の縦型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、隣り合う縦型電界効果トランジスタの間にその縦型電界効果トランジスタから離間して設けられた第1導電型の逆の第2導電型の拡散層を有し、この拡散層と前記半導体基板とから構成されるダイオードの耐圧が前記縦型電界効果トランジスタの耐圧よりも低いことを特徴とする縦型電界効果トランジスタを有する半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-000767
特開昭64-039069
特開平2-275675

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