特許

J-GLOBAL ID：200903074520700004

メモリカード装置

発明者： 前川 智之 ,  吉岡 心平 ,  小西 和夫 ,  丸山 晃司 ,  佐藤 聡明
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝エー・ブイ・イー株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-115632
公開番号（公開出願番号）：特開平5-314754
出願日： 1992年05月08日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】この発明は、外部環境による書き込み時間のばらつきを考慮した最適なデータ書き込みを行なうことでデータ書き込みスピードを効果的に向上させ、しかも過剰書き込みのような不都合が生じることを極力防止し得るメモリカード装置を提供することを目的としている。【構成】半導体メモリに対してデータ書き込み動作を予め設定された単位時間実行した後、書き込んだデータを読み出して元のデータと比較するベリファイを行ない、不一致である場合再度データの書き込みを繰り返すことによりデータ書き込みを行なう半導体メモリを内蔵したメモリカード装置において、メモリカード装置内に半導体メモリに対するデータ書き込み時間を変動させる外部環境要因を測定するセンサを設置し、該センサの出力に基づいて半導体メモリへのデータ書き込みに要する定数を制御するように構成している。

請求項（抜粋）：

半導体メモリに対してデータ書き込み動作を予め設定された単位時間実行した後、書き込んだデータを読み出して元のデータと比較するベリファイを行ない、不一致である場合再度データの書き込みを繰り返すことによりデータ書き込みを行なう半導体メモリを内蔵したメモリカード装置において、前記メモリカード装置内に前記半導体メモリに対するデータ書き込み時間を変動させる外部環境要因を測定するセンサを設置し、該センサの出力に基づいて前記半導体メモリへのデータ書き込みに要する定数を制御するように構成してなることを特徴とするメモリカード装置。

IPC (4件)：

G11C 5/00 302 ,  B42D 15/10 521 ,  G06F 3/08 ,  G06K 17/00