特許
J-GLOBAL ID：200903074522522375

(111)配向PZT系誘電体膜形成用基板、この基板を用いて形成されてなる(111)配向PZT系誘電体膜

発明者：
小林 健

小林 健 について

, 
一木 正聡

一木 正聡 について

, 
前田 龍太郎

前田 龍太郎 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-009755
公開番号（公開出願番号）：特開2006-199507
出願日： 2005年01月18日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
【課題】シリコン基板上に(111)配向性PZT系誘電体膜を、組成ずれが起こらず、高純度でしかも必要最小限の熱付与により形成することができる、(111)配向性PZT系誘電体膜形成用基板、かかる基板を利用することにより得られる高純度(111)配向性PZT系誘電体膜およびかかる基板を利用する高純度(111)配向性PZT系誘電体膜の製造方法を提供する【解決手段】シリコン基体上に順次、チタン膜と白金膜を設けた基板材料を加熱処理することにより得られ、該白金膜上に酸化チタンを含む配向制御層が形成された(111)配向PZT系誘電体膜形成用基板。この基板を利用することにより得られる(111)配向PZT系誘電体膜。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
シリコン基体上に順次、チタン膜と白金膜を設けた基板材料を加熱処理することにより得られ、該白金膜上に酸化チタンを含む配向制御層が形成されていることを特徴とする(111)配向PZT系誘電体膜形成用基板。
IPC (8件)：
C04B 35/49 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (6件)：
C04B35/49 B ,  H01L21/316 G ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/22 A ,  H01L27/04 C
Fターム (26件)：
4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA30 ,  4G031AA32 ,  4G031AA39 ,  4G031BA09 ,  4G031CA08 ,  4G031GA19 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (8件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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