特許
J-GLOBAL ID：200903074522644004
二次電子放射冷陰極
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
細江 利昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-136901
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331598
出願日： 1999年05月18日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 二次電子を放出する方式の薄膜冷陰極を提供する。【解決手段】 絶縁体基板1上に絶縁膜2が形成され、絶縁体2上には先鋭化処理が施された薄膜陰極3が形成されている。この積層体と離間した位置の絶縁体基板1上に薄膜陽極4が形成されている。薄膜陰極3と薄膜陽極4との間に薄膜陽極4を正極性とするようなゲート電圧を印加すると、先鋭化された電界集中部7に電界が集中して、薄膜陰極3中の電子が量子力学的トンネル効果によって真空中に放射される。薄膜陰極3から放射された一次電子ビーム5は、薄膜陰極3と薄膜陽極4との間に印加された電圧により、薄膜陽極4に向かって加速されて薄膜陽極4を照射する。それにより、薄膜陽極4から二次電子ビーム6が放射される。
請求項（抜粋）：
絶縁体基板上に形成された絶縁膜の上に形成された薄膜陽極と、薄膜陽極と隔離して絶縁体基板上に形成された絶縁膜と、当該絶縁膜上に形成された薄膜陰極とを具備し、薄膜陽極と薄膜陰極との間に印加された電圧によって薄膜陰極からは電界放射電子ビームを発生し、薄膜陽極は前記電界放射電子ビームが照射されることによって二次電子ビームを真空中へ放射することを特徴とする二次電子放射冷陰極。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/32 B
, H01J 1/30 F
