特許
J-GLOBAL ID：200903074524157542
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-341175
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175510
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 ゲート電極の制御性を改善すると共にアルミニウム配線の断線の問題のない半導体装置の製造方法。【構成】 半導体基板21に異方性エッチングにより上縁と底部に鋭角コーナを持つ溝(23)を形成し、底部鋭角コーナ部24にフローティングゲート電極27を埋め込む。
請求項（抜粋）：
(a)半導体基板平面に対して、垂直ではない角度で異方性エッチングを行ない、前記基板平面垂直方向からは遮蔽された表面領域を有する斜溝を形成する工程と、(b)前記半導体基板に、前記垂直方向からイオン注入を行ない、前記斜溝の遮蔽された表面領域周辺に拡散層領域を形成する工程と、(c)前記斜溝内の少なくとも前記遮蔽された表面領域上にポリシリコン層を形成し、ゲート電極とする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
