特許

J-GLOBAL ID：200903074524755911

層の平面に垂直なスピン分極が大きい薄層磁気デバイス、およびそのデバイスを使用する磁気トンネル接合およびスピンバルブ

発明者： ベルナール・ロッドマック ,  ベルナール・ディエニー
出願人/特許権者： コミツサリア タ レネルジー アトミーク ,  セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-522310
公開番号（公開出願番号）：特表2009-545869
出願日： 2007年07月13日
公開日（公表日）： 2009年12月24日
要約：

本発明は、カソードスプレイングによって堆積された複合アセンブリを基板上に含み、かつ、垂直磁気異方性が大きい材料から作られる磁気層(2)であって、その磁化が、どのような電気的または磁気的な相互作用がない場合でも該層の平面の外部に配置される磁気層(2)と、先の磁気層(2)と直接接触し、スピン分極の比率が高い強磁性材料から作られる磁気層(3)であって、その磁化が、どのような電気的または磁気的な相互作用がない場合でもこの層の平面内に配置され、この層の該磁気層(2)との直接的な磁気結合が、2つの磁気層(2)および(3)を含むアセンブリの有効な消磁磁場の低減を誘起する磁気層(3)と、先の磁気層(3)と直接接触し、デバイスを通過する電子には分極性でない材料から作られる非磁気層(4)と、を含む薄層磁気デバイスに関する。本デバイスは、層の平面に対して実質的に垂直な方向でそれ自体中を電流が通過するようにさせる手段を含む。

請求項（抜粋）：

カソードスパッタリングによって堆積された複合アセンブリを基板上に含む薄膜磁気デバイスにおいて、 垂直磁気異方性が大きい材料からなる磁気層(2)であって、その磁化は、どのような電気的または磁気的な相互作用がない場合に、該層の平面の外部に位置する、磁気層(2)と、 前記磁気層(2)と直接接触し、スピン分極の比率が高い強磁性材料からなる磁気層(3)であって、その磁化は、どのような電気的または磁気的な相互作用がない場合に、その平面上に位置し、かつ前記磁気層(2)とのその直接の磁気結合が、前記2つの磁気層(2)および(3)を含む前記アセンブリの有効な消磁磁場の低減を誘起する、磁気層(3)と、 前記磁気層(3)と直接接触し、前記デバイスを通過する電子には分極性でない材料からなる非磁気層(4)と、を備え、 それら層中をそれらの平面に対して実質的に垂直な方向に電流を流す手段をさらに備える、薄膜磁気デバイス。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/32

FI (4件)：

H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/32

Fターム (37件)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD07 ,  4M119DD17 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049CB01 ,  5E049CC01 ,  5E049DB02 ,  5E049GC01 ,  5F092AA01 ,  5F092AB06 ,  5F092AB10 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB05 ,  5F092BB10 ,  5F092BB22 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BE03 ,  5F092BE06