特許
J-GLOBAL ID：200903074526008404
シリコンウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-318440
公開番号（公開出願番号）：特開平6-166595
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：
【要約】【目的】 金属汚染の影響を十分に除去することができ、信頼性の高い半導体デバイスを製造することができるシリコンウェーハを提供する。【構成】 チョクラルスキー法により引き上げられたシリコン単結晶から切り出されたシリコンウェーハであって、実質的に内部に境界を持たず、ウェーハ厚さ方向の中心部近傍の酸素濃度とウェーハ表面から5μm以内の酸素濃度との差が1.0×1018atoms/cm3 以上である。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法により引き上げられたシリコン単結晶から切り出されたシリコンウェーハであって、実質的に内部に境界を持たず、ウェーハ厚さ方向の中心部近傍の酸素濃度とウェーハ表面から5μm以内の酸素濃度との差が1.0×1018atoms/cm3 以上であることを特徴とするシリコンウェーハ。
IPC (2件)：
引用特許：
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