特許
J-GLOBAL ID：200903074526392620
II-VI族化合物半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-031528
公開番号（公開出願番号）：特開平7-170026
出願日： 1994年03月01日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】 II-VI族化合物半導体装置におけるp側電極部のコンタクト抵抗、格子整合、動作電圧の改善をはかる。【構成】 p側電極部を金属電極をオーミックコンタクトしにくいp型の第1の半導体層11と、これの上に形成される金属電極をオーミックコンタクトできるp型の第2の半導体層12と、第1および第2の半導体層11および12間に介在される超格子構造部13とを有する構成とし、この超格子構造部13を少なくとも価電子帯に量子井戸を形成する第1の半導体薄層131と伝導帯に量子井戸を形成する第2の半導体薄層132の各1層以上の超格子層によって構成する。
請求項（抜粋）：
II-VI族化合物半導体素子に対するp側電極部が、金属電極をオーミックコンタクトしにくいp型の第1の半導体層と、これの上に形成される金属電極をオーミックコンタクトできるp型の第2の半導体層と、上記第1および第2の半導体層間に介在される少なくとも価電子帯に量子井戸を形成する第1の半導体薄層と伝導帯に量子井戸を形成する第2の半導体薄層とが積層されてなる超格子構造部とを有してなることを特徴とするII-VI族化合物半導体装置。
IPC (2件)：
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