特許

J-GLOBAL ID：200903074530733199

成膜装置のクリーニング方法

発明者： 傳 博臣
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-309799
公開番号（公開出願番号）：特開平11-131267
出願日： 1997年10月24日
公開日（公表日）： 1999年05月18日
要約：

【要約】【課題】 終了を正確に判断する成膜装置のクリーニング方法を提供する。【解決手段】 反応容器34内の測定手段として,排気口付近に圧力計54と熱電対58を,ガス流れ隙間40に熱電対62,64,66,68を配置した温度測定管60をそれぞれ設置した縦型炉型の成膜装置10のドライエッチング法によるクリーニングにおいて,ポリシリコン膜を除去するためのエッチングガスの供給速度を一定にするとともに排気口50をフルオープンにし,反応容器34雰囲気内のガス流量を一定にした状態で,上記それぞれの測定手段が接続されたエッチングガス供給制御系47によって,排気口50付近の圧力変化プロフィルと温度変化プロフィルの立ち下がり及びガス流れ方向のエッチング領域の移動状況を監視し,反応容器34内の累積膜厚を予測するとともにクリーニングの終了時間を予測及び判断し,クリーニングを終了する。

請求項（抜粋）：

反応容器内において所定の成膜ガスにより被処理体に対して所定の成膜処理を施す成膜装置のクリーニング方法であって:前記反応容器内においてドライエッチングにより前記反応容器内の不要成膜部分のクリーニングを行うクリーニング工程と;前記反応容器内の圧力変化を監視する工程と;前記反応容器内の圧力変化プロフィルのピークからの立ち下がりによりクリーニングの終了を判断する工程と;を含むことを特徴とする,成膜装置のクリーニング方法。

IPC (3件)：

C23F 4/00 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C23F 4/00 A ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-306582
  
• CVD装置及びチャンバ内のクリーニングの方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-309032   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-072934   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
• 特開平1-306582