特許
J-GLOBAL ID:200903074535995760

液晶画像表示装置と画像表示装置用半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-329491
公開番号(公開出願番号):特開2001-147449
出願日: 1999年11月19日
公開日(公表日): 2001年05月29日
要約:
【要約】【課題】 5枚マスクプロセスでは走査線と信号線へのコンタクト形成に関して、絶縁層への開口部形成時に走査線や信号線の表面に酸化膜が形成され易く、コンタクト抵抗が不安定であった。【解決手段】 ?@走査線と信号線を陽極酸化可能な金属とアルミニウムと透明導電層の3層とする。?A走査線の側面に陽極酸化層を形成する。
請求項(抜粋):
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された絶縁基板と、前記絶縁基板と対向する透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶画像表示装置において、絶縁ゲート型トランジスタのソースも兼ねる信号線とドレイン電極とが耐熱金属層とアルミニウム層と透明導電層との3層で構成され、ドレイン電極上に開口部を有する絶縁層を介して絵素電極が前記絶縁層上に形成されていることを特徴とする液晶画像表示装置。
IPC (3件):
G02F 1/1368 ,  G02F 1/1333 505 ,  G09F 9/30 338
FI (3件):
G02F 1/1333 505 ,  G09F 9/30 338 ,  G02F 1/136 500
Fターム (33件):
2H090HA02 ,  2H090HA06 ,  2H090LA01 ,  2H090LA04 ,  2H090LA15 ,  2H092GA25 ,  2H092GA28 ,  2H092HA06 ,  2H092JA26 ,  2H092JA46 ,  2H092KA05 ,  2H092KB01 ,  2H092MA24 ,  2H092NA16 ,  2H092NA24 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  5C094AA21 ,  5C094AA31 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094EA03 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA07 ,  5C094FB12 ,  5C094GB01

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