特許
J-GLOBAL ID：200903074536018777

窒化物半導体レーザ素子

発明者：
松村 拓明

松村 拓明 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-023297
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210914
出願日： 2000年01月27日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】【課題】 素子の絶縁性を良好にして、リーク電流の防止やショートを防止し寿命特性の良好な素子を歩留まりよく得ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 基板上に、n型窒化物半導体層、活性層及びp型窒化物半導体層を成長させてなる素子構造を有し、p型窒化物半導体層側からエッチングによりリッジ形状のストライプが形成されてなり、さらに少なくとも前記リッジ形状のストライプの側面に絶縁膜15が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子で、前記絶縁膜15と接している少なくともリッジ形状のストライプの側面及びストライプの側面から連続している平面の表面付近に、アルミニウム又はホウ素を豊富に含有するリッチ層201を有する。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくともn型窒化物半導体層、活性層及びp型窒化物半導体層を成長させてなる素子構造を有し、p型窒化物半導体層側からエッチングによりリッジ形状のストライプが形成されてなり、さらに少なくとも前記リッジ形状のストライプの側面に絶縁膜が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記絶縁膜と接している少なくともリッジ形状のストライプの側面及びストライプの側面から連続している平面の表面付近に、アルミニウム又はホウ素を豊富に含有するリッチ層を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (3件)：
H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Fターム (43件)：
5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA73 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF20 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045CB10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045HA12 ,  5F045HA15 ,  5F045HA16 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA13 ,  5F073DA14 ,  5F073DA16 ,  5F073DA32 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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