特許
J-GLOBAL ID：200903074542680104
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-010209
公開番号（公開出願番号）：特開平7-182886
出願日： 1994年02月01日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】フリップフロップ回路に強制反転手段を用いてビット線間の干渉にも影響されず、消費電力の増大もなしに、ビット線ベリファイを実現する。【構成】書き込みデータを第1/第2状態で保持するフリップフロップ回路1とこれに接続されたビット線BLと、これを充電するトランジスタQ3と、しきい値が第1/第2の範囲をとって情報記憶するメモリセル2でなり、さらに、書き込み動作に引き続いて行われるベリファイ動作時に、メモリセル2の記憶データに応じて、所定電位とフリップフロップ回路の一端とを接続して保持データを強制的にセットする強制反転手段Q7、Q8とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
請求項（抜粋）：
書き込みデータを第1の状態及び第2の状態として保持するフリップフロップ回路と、このフリップフロップ回路に接続されたビット線と、このビット線を充電する充電手段と、前記ビット線に接続され、しきい値が第1の範囲及び第2の範囲をとることにより情報を記憶するトランジスタからなり、書き込み動作時には、前記フリップフロップ回路が前記第1の状態を保持している際には前記しきい値は前記第1の範囲から前記第2の範囲の方向にシフトさせられ、前記フリップフロップ回路が前記第2の状態を保持している際には前記しきい値のシフトは抑圧され、書き込み動作に引き続いて行われるベリファイ動作時には、前記しきい値が第2の範囲にある時は、前記充電手段による充電後の前記ビット線を第1の電位にする不揮発性メモリセルと、前記ベリファイ動作時に前記ビット線が前記第1の電位にあるときは前記フリップフロップ回路の一端と所定電位とを接続することによりこのフリップフロップ回路がベリファイ時以前に保持していた状態に関わらずこのフリップフロップ回路に前記第2の状態を保持させる強制反転手段とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C 17/00 510 A
, G11C 17/00 520 B
, H01L 27/10 434
