亜鉛酸化物をベースとした半導体材料を含む薄膜トランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康 , 出野知 , 蛯谷厚志
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-516908
公開番号（公開出願番号）：特表2008-544522
出願日： 2006年06月01日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：

薄膜トランジスタは、亜鉛酸化物含有半導体材料を含んでいる。このトランジスタはさらに、この材料と接触していて互いに離れた第1の接点手段または電極と第2の接点手段または電極を備えている。さらに、製造中に基板の温度が300°Cを超えない薄膜トランジスタ・デバイスの製造方法も開示されている。

請求項（抜粋）：

トランジスタで利用するため亜鉛酸化物をベースとした半導体を含む半導体薄膜を製造する方法であって、この方法は、基板上に亜鉛酸化物をベースとしたナノ粒子のコロイド溶液を300°C以下の温度で堆積させる操作を含んでおり、このナノ粒子は、有機亜鉛前駆体化合物と塩基性イオン化合物を含む反応物質の混合物の反応生成物であり、このナノ粒子は、一次粒子の平均サイズが10〜150nmであり、上記コロイド溶液中でコロイドとして安定であり、上記コロイド溶液中の無機イオンのレベルは1mM未満であり、有機化合物またはその塩のレベルは5mM未満である方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (2件)：

H01L29/78 618A , H01L29/78 618B

Fターム (40件)：

5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN72

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