半導体装置の配線およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-034532
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233395
出願日： 1997年02月19日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】半導体基板に電気的に接続するアルミニウム系金属からなる配線は、オーバエッチング時にその配線下部にアンダーカットを生じるため、配線の信頼性を大きく低下させていた。【解決手段】半導体基板11に電気的に接続されている配線21であって、配線21は、半導体基板11上に形成された絶縁膜12上に設けられ、サイドエッチング防止層22とこのサイドエッチング防止層22上に形成した導電層23とからなるものである。上記サイドエッチング防止層22は絶縁膜12上で少なくとも70nmの厚さを有することが必要である。

請求項（抜粋）：

半導体基板に電気的に接続されている配線であって、前記配線は、前記半導体基板上に形成された絶縁膜上に設けられ、サイドエッチング防止層と該サイドエッチング防止層上に形成した導電層とからなることを特徴とする半導体装置の配線。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/88 R , H01L 21/28 301 L , H01L 21/302 J

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