特許
J-GLOBAL ID：200903074549765695
半導体装置とその作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-103516
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021465
出願日： 1993年04月05日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 薄膜絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを安定して形成し、また、素子の平坦化を達成するための方法とそれに適した薄膜絶縁ゲイト型電界効果トランジスタの構造を提供することを目的とする。【構成】 薄膜絶縁ゲイト型電界効果トランジスタにおいて、ゲイト電極とゲイト絶縁膜の間、もしくは基板とその上の層の間に、エッチングストッパーとして酸化アルミニウムもしくは窒化珪素膜が挟まれた構造を有せしめることによって、オーバーエッチングを防止し、素子の平坦化を達成する。また、コンタクトホールという概念を用いずにコンタクトを形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成された薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置であって、その不純物領域から延在する金属配線の少なくとも一部が窒化珪素被膜もしくは酸化アルミニウム膜と密着していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
出願人引用 (3件)
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特開平4-109678
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特開昭58-164268
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特開平3-217059
審査官引用 (6件)
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