特許

J-GLOBAL ID：200903074551733954

多孔質膜の形成方法

発明者： 実沢 佳居 ,  松本 功 ,  大橋 直史 ,  阿部 浩一 ,  桜井 治彰
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ ,  日立化成工業株式会社
代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大阿久 敦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-099670
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311532
出願日： 2003年04月02日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】低温での加熱処理によって低誘電率の多孔質膜を形成する方法を提供する。【解決手段】半導体基板1の上に、ポリシロキサン、空孔形成材、オニウム塩および溶媒を含む膜形成用組成物2を塗布した後、第1の加熱処理によって膜形成用組成物1から溶媒を蒸発させる。次に、不活性ガス雰囲気下において第2の加熱処理を行い、ポリシロキサンの重合を進めてポリシロキサン樹脂被膜3を形成する。その後、酸化性ガス雰囲気下において第3の加熱処理を行うことによって、ポリシロキサン樹脂被膜3の中に空孔4を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に、ポリシロキサン、空孔形成材、オニウム塩および溶媒を含む膜形成用組成物を塗布する塗布工程と、 前記膜形成用組成物から前記溶媒を蒸発させる第1の加熱処理工程と、 不活性ガス雰囲気下において前記ポリシロキサンの重合を進める第2の加熱処理工程と、 酸化性ガス雰囲気下において前記空孔形成材を気化させる第3の加熱処理工程とを有することを特徴とする多孔質膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L21/312 ,  H01L21/768

FI (2件)：

H01L21/312 C ,  H01L21/90 Q

Fターム (14件)：

5F033QQ74 ,  5F033QQ84 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033XX14 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02