特許
J-GLOBAL ID：200903074563919336
スパッタ成膜装置及び複数層成膜方法並びに複数層成膜装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋本 正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-227377
公開番号（公開出願番号）：特開平7-090575
出願日： 1993年09月13日
公開日（公表日）： 1995年04月04日
要約：
【要約】【目的】 成膜速度が低下するのを抑え、生産性が低下するのも防止し得る。【構成】 Arガス圧をプレーナマグネトロンスパッタ電極のときより1/10の低い圧とすると、該ガス圧の分子の平均自由工程が長くなるので、スパッタ粒子が指向性フィルタ12を通過する前、その通過時や通過後においてもガスの分子と衝突するのを防げる。即ち、指向性フィルタ12を通過したスパッタ粒子は、Arガスの分子によって散乱されることが殆どなく、スパッタガス圧が高い場合に比較すると、直線的に飛翔する成分が多くなり、しかも指向性フィルタ12に付着する成分を低減することができる。
請求項（抜粋）：
スパッタ電極と、該スパッタ電極によってスパッタ粒子が飛翔されるターゲットと、ターゲットと対向する位置に設置され、所望位置にスパッタ粒子を付着して成膜する成膜対象基板と、ターゲットと成膜対象基板間に設置され、ターゲットからのスパッタ粒子に指向性を付与する指向性フィルタと、それらスパッタ電極,ターゲット,成膜対象基板,指向性フィルタを夫々収容するスパッタチャンバと、該スパッタチャンバ内を所定のスパッタガス圧に保つガス導入手段とを有し、前記スパッタチャンバ内のガス圧を、1×10-5〜10-3Torrにすると共に、前記スパッタ電極がそのガス圧の範囲内で放電し得ることを特徴とするスパッタ成膜装置。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, C23C 14/58
, C23C 16/54
