特許
J-GLOBAL ID：200903074564417911
金属酸化物薄膜のパターン形成法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-281627
公開番号（公開出願番号）：特開平5-116454
出願日： 1991年10月28日
公開日（公表日）： 1993年05月14日
要約：
【要約】【目的】 キャパシタを使用した半導体記憶素子の強誘電体膜など超微細加工を要求される金属酸化物薄膜のパターンを簡単に形成できる方法を提供する。【構成】 金属元素のアルコキシドまたはアルコキシアルコレートとアルコールまたはアルコキシアルコールとの混合物に光、レーザ光、電子線、X線などにより酸を発生する酸発生剤を混合したゾルにより薄膜を形成し、前駆状態で光などによる露光、現像をしパターン化したのち、熱処理で焼成し金属酸化物薄膜のパターンを形成する方法。
請求項（抜粋）：
(1) 下記A群から選ばれた少なくとも1種の元素のアルコキシドまたはアルコキシアルコレートと、下記B群から選ばれた少なくとも1種のアルコールまたはアルコキシアルコールを含む混合溶液を調製する工程、A群 リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ヒ素、セレニウム、ルビジウム、ストロンチウム、ジルコニウム、ニオビウム、ロジウム、パラジウム、カドミウム、インジウム、スズ、アンチモン、テルリウム、セシウム、バリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ホルミウム、イッテルビウム、ルテチウム、ハフニウム、タンタル、白金、鉛、ビスマスおよびトリウムB群 メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、メトキシエタノール、エトキシエタノール、プロポキシエタノールおよびブトキシエタノール(2) 前記混合溶液に光、レーザ光、電子線またはX線により酸を発生する酸発生剤を混合する工程、(3) 前記混合液を基板上に塗布して薄膜を形成し乾燥する工程、(4) 前記基板上に形成された薄膜に選択的に光、レーザ光、電子線またはX線を照射してゲル化を促進する工程、(5) 前記(4) 工程で光、レーザ光、電子線またはX線が照射されない部分の薄膜をエッチング除去する工程および(6) 前記(5) 工程で除去されない薄膜を焼成する工程からなることを特徴とする金属酸化物薄膜のパターン形成法。
IPC (6件)：
B41M 5/26
, B01J 19/12
, C01B 13/32
, H01L 21/027
, H01L 27/108
, H01L 21/316
B41M 5/26 V
, H01L 21/30 301 R
, H01L 21/30 361 Z
, H01L 27/10 325 J
