特許
J-GLOBAL ID：200903074565232826
薄膜形成方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-355686
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188205
出願日： 1992年12月17日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 CVD法により形成される例えばTiN膜中のClを除去してCl濃度を低下させること。【構成】 金属配線とシリコン膜との間のバリヤ層としてのTiN膜をTiCl4 ガスとNH3 ガスとを原料ガスとして反応室2内でCVD法により形成し、次いで後処理室5内で前記TiN膜を真空雰囲気下にて赤外線ヒータ6により加熱処理する。これによりTiN膜中のCl濃度が低くなり、金属配線の腐食が抑えられる。こうしてTiN膜の形成方法としてCVD法の採用が可能になりコンタクトホールの微細化に対応できる。
請求項（抜粋）：
薄膜成分及びClを含む化合物よりなる原料ガスを用いて気相反応により被処理基板上に薄膜を形成する工程と、この工程で薄膜が形成された被処理基板を真空雰囲気中で加熱処理して当該薄膜中のClを除去する工程と、を含むことを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2件)：
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