特許

J-GLOBAL ID：200903074569502194

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 野瀬 藤明 ,  渡邊 祐二 ,  山口 栄次 ,  菊池 卓 ,  三輪 孝志
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-284771
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135369
出願日： 1996年10月28日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子のバンプ接続部における接続信頼性を向上させる。【解決手段】 半導体集積回路が形成された半導体チップ1と、バンプ3を介して半導体チップ1を支持する素子搭載基板2とからなり、素子搭載基板2の非素子搭載面2dに凹部2eが形成されて素子搭載部2aがその周囲の非素子搭載部2bより薄く形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体素子を搭載してなる半導体集積回路装置であって、バンプを介して前記半導体素子を支持する素子搭載基板を有し、前記素子搭載基板における素子搭載部が非素子搭載部と比較して薄く形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 311 S