特許

J-GLOBAL ID：200903074571496525

回折格子パターン形成法

発明者： 竹内 邦生 ,  山内 英樹
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-005730
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190426
出願日： 1992年01月16日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 分布帰還型半導体レーザ装置等に構成される回折格子パターンの高精度化を実現する回折格子パターン作成方法を提供することが目的である。【構成】 基板1上に、高感度なレジスト膜2と低感度なレジスト膜3をこの順序で形成し、二光束露光法により露光、現像した後、エッチングまたはイオン注入により回折格子パターン5aまたは5bを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体上に、高感度レジスト膜と低感度レジスト膜をこの順に形成する工程と、干渉露光法による露光の後、現像を行う工程と、エッチングを行う工程を有することを特徴とする回折格子パターン形成法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  H01S 3/1055

FI (3件)：

H01L 21/30 311 W ,  H01L 21/30 301 M ,  H01L 21/30 361 S

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭63-202026
  
• 特開昭62-036823
  
• 特開昭62-208007
  
• 特開昭60-183783
  
• 特開平2-106987