特許

J-GLOBAL ID：200903074572280887

半導体装置およびその製造方法

発明者： 関口 満 ,  山田 達也
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-294955
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124310
出願日： 1998年10月16日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 コンタクト抵抗を低減し信頼性の高い銅配線を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 第1の銅配線3上に、コンタクトホール6および配線溝7を形成する。ここに、Ta膜10および窒素含有量を原子%で1〜35%のタンタルナイトライド膜11を形成する。タンタルナイトライド膜11上には第2の配線9が形成される。これにより、銅配線の銅(111)配向性を向上させ、銅配線の高信頼性化を図ることができる。第1の配線3に接する部分では、窒素含有量を1%以下のタンタルナイトライドとすることで銅膜中への窒素の進入を防ぎ、コンタクト抵抗の低減を図ることができる。

請求項（抜粋）：

銅を主成分とする配線を備えた半導体装置であって、前記配線を構成する銅膜はタンタルナイトライド膜に接しており、前記銅膜と接する部分の前記タンタルナイトライド膜の窒素含有量は、原子%で1〜35%とした半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 M

Fターム (37件)：

4M104BB04 ,  4M104BB29 ,  4M104DD07 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104FF07 ,  4M104FF13 ,  4M104FF16 ,  4M104GG13 ,  4M104HH01 ,  4M104HH16 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033LL07 ,  5F033LL09 ,  5F033MM02 ,  5F033MM10 ,  5F033MM12 ,  5F033MM18 ,  5F033PP06 ,  5F033PP18 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033XX05 ,  5F033XX09