特許

J-GLOBAL ID：200903074573077350

半導体装置

発明者： 早川 誠一 ,  小池 義彦 ,  三浦 雅人
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-242814
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087540
出願日： 2002年08月23日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】半導体装置における支持基板上に形成された配線端子と絶縁基板上の金属層との接続を容易とすることである。【解決手段】支持基板と、支持基板の側面及び上面に樹脂体と、支持基板と上面の樹脂体の間に複数個の半導体素子と、支持基板と半導体素子の間に絶縁基板を備えた半導体装置において、複数個の配線端子を埋め込んだ樹脂体と、配線端子を埋め込んだ樹脂体の位置決めをする位置決め部を支持基板側面の樹脂体に設けた半導体装置とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

支持基板と、前記支持基板の側面及び上面に樹脂体と、前記支持基板と前記上面の樹脂体の間に複数個の半導体素子と、前記支持基板と前記半導体素子の間に絶縁基板を備えた半導体装置において、 複数個の配線端子を埋め込んだ樹脂体と、前記配線端子を埋め込んだ樹脂体の前記支持基板に対して水平方向の位置決めをする位置決め部を前記支持基板側面の樹脂体に設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (1件)：

H01L25/04 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-005282   出願人：矢崎総業株式会社
• 複合半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-098304   出願人：日本インター株式会社