特許
J-GLOBAL ID:200903074578591850

プラズマ処理装置および処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伴 俊光
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-204726
公開番号(公開出願番号):特開2008-034186
出願日: 2006年07月27日
公開日(公表日): 2008年02月14日
要約:
【課題】空気の混入を防止し安定してプラズマを生成し、かつ被処理基材に対して容易に均一な表面処理を施すことが可能なプラズマ処理装置および処理方法を提供する。【解決手段】処理ガス導入口7、置換ガス導入口を形成した誘電体蓋4を有し、若干の陽圧に保たれた空間幅d1の放電空間を有するプラズマ発生部5を形成し、プラズマ発生部5へと至る処理ガス経路8を形成し、被処理基材11の装着ベース12のOリングを介して処理ガスを排気させる経路15を形成するとともに、これら全体を排気カバー14で覆って排気16を排出させ、大気を混入させない構造とした。【選択図】図1
請求項(抜粋):
少なくとも対向する面が誘電体で覆われた対向電極、ガス導入口および開閉可能な蓋部を有し、該蓋部を閉じた際に略密閉されたプラズマ処理部が形成されるプラズマ処理装置であって、前記蓋部が、前記プラズマ処理部内で被処理基材を保持する基材保持手段を備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件):
H05H 1/24 ,  G02C 7/04 ,  G02B 1/10 ,  C08J 7/00
FI (5件):
H05H1/24 ,  G02C7/04 ,  G02B1/10 ,  C08J7/00 306 ,  C08J7/00
Fターム (16件):
2H006BB10 ,  2K009AA01 ,  2K009AA15 ,  2K009BB01 ,  2K009CC01 ,  2K009DD03 ,  2K009DD04 ,  2K009DD07 ,  2K009DD11 ,  2K009DD15 ,  2K009EE00 ,  4F073AA01 ,  4F073BA18 ,  4F073BB02 ,  4F073CA28 ,  4F073CA65
引用特許:
出願人引用 (2件)

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