特許
J-GLOBAL ID：200903074579436840
フォトマスクの構造と半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-186441
公開番号（公開出願番号）：特開平7-043881
出願日： 1993年07月28日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】半導体装置などの製造に使用されるフォトマスクの構造および半導体装置の製造方法に関する。エッチング工程における装置または処理条件に依存して、エッチングスピードがウエハー中央部とウエハー外周部で不均一となることを防止する。エッチング工程終了後の素子寸法を均一にするため、エッチング時のウエハー面内の素子寸法均一性を向上させる。【構成】マスク上でエッチング速度が速いチップにマイナス方向のリサイズを、エッチング速度が遅いチップにプラス方向のリサイズをそれぞれかけ、そのマスクを使用してフォト、エッチングを行う。【効果】エッチング時に面内においてエッチングスピードの差がある場合にも、エッチング終了時の素子寸法を均一にすることが可能である。
請求項（抜粋）：
フォトマスクの構造に於て、半導体の製造時におけるエッチング工程の面内ばらつきを補正するために、2種類またはそれ以上の素子寸法をもったチップが混在することを特徴とするフォトマスクの構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 515 F
