特許

J-GLOBAL ID：200903074583102484

スパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者： 大迫 敏行 ,  渡辺 邦夫
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-269445
公開番号（公開出願番号）：特開2002-069626
出願日： 2000年09月06日
公開日（公表日）： 2002年03月08日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、スパッタ法により電極膜を形成するに際して、スパッタ中の電圧等の変動などによる厚みの不均一性を解消しうるスパッタリングターゲットの提供を課題とする。【解決手段】 銅が2〜5重量%、残部がアルミニウムとなるように銅とアルミニウムとを調合して坩堝に入れ、溶解し、鋳造して鋳塊を得、得られた鋳塊を均質化処理した後冷却し、要すればこれを面削した後、冷間加工率、すなわち冷間加工による断面減少率が60%以上となるように冷間加工して、得た加工材をアルゴン気流中で、スパッタ時のターゲット到達最高温度が350°Cを越える場合には該ターゲット到達最高温度と同じかそれよりも若干高い温度、スパッタ時のターゲット到達最高温度が350°Cを下回る場合には350°C以上で焼鈍し、焼鈍し後に急冷してスパッタリングターゲットとする。

請求項（抜粋）：

Cuを2〜5重量%含み、残部が実質的にアルミニウムからなるアルミニウム合金スパッタリングターゲットであって、該ターゲットを構成する結晶の粒径が100μm以下であることを特徴とするアルミニウム合金スパッタリングターゲット。

IPC (13件)：

C23C 14/34 ,  C22C 21/12 ,  C22F 1/02 ,  C22F 1/057 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C22F 1/00 604 ,  C22F 1/00 661 ,  C22F 1/00 682 ,  C22F 1/00 685 ,  C22F 1/00 691 ,  C22F 1/00 692 ,  C22F 1/00 694

FI (13件)：

C23C 14/34 A ,  C22C 21/12 ,  C22F 1/02 ,  C22F 1/057 ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 L ,  C22F 1/00 604 ,  C22F 1/00 661 Z ,  C22F 1/00 682 ,  C22F 1/00 685 A ,  C22F 1/00 691 B ,  C22F 1/00 692 A ,  C22F 1/00 694 A

Fターム (11件)：

4K029BA23 ,  4K029BD02 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104GG20 ,  4M104HH20