特許
J-GLOBAL ID：200903074598401780
ドライエッチング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-075199
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243191
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 ドライエッチングにおいて被エッチング物のエッチング形状の制御は重要であるため、半導体基板の温度制御による形状制御を可能とする。【構成】 半導体基板32を設置する電極31内に、複数の冷媒供給路22,23,24を設け、それぞれ個別のコントローラ1,2,3、冷媒槽10,11,12、温度モニター28,29,30等を用いて制御を行う。これにより、スルーホールなどエッチング深さ方向の制御ができる。
請求項（抜粋）：
真空処理室内に導入したプロセスガスを高周波電力の印加によりプラズマ化し、該プラズマを用いて半導体基板上の被エッチング物をエッチングするドライエッチング装置において、半導体基板を設置する電極内部に設けた複数の冷媒供給路と、該冷媒供給路への冷媒供給を行う複数の冷媒槽と、冷媒槽を個別に温度制御する温度制御装置とを有することを特徴とするドライエッチング装置。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H05H 1/46
