特許
J-GLOBAL ID：200903074601572337
半導体レーザ及びその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-161468
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335750
出願日： 1995年06月05日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：
【要約】【目的】 クラッド層を所定厚さに維持しつつストライプ幅及び電流狭窄幅が狭い半導体レーザを提供することである。【構成】 本半導体レーザは、Al Ga As 系のリッジ導波型セルフアライン半導体レーザであって、活性層16を含む化合物半導体積層構造と、最下層にAlx Ga1-xAs からなる光ガイド層20を、その上にAl y Ga1-yAs からなる上層のクラッド層22をそれぞれ有して、逆メサ型リッジ状に形成された光導波路構造50とを備えている。光ガイド層のAl 含有率Xを0.1≦X≦0.3の範囲に規制し、かつクラッド層のAl 含有率Yを光ガイド層のAl 含有率Xより大きくして、クラッド層をエッチングする際、光ガイド層がエッチング阻止層として働くように構成されている。クラッド層のAl 含有率Yを光ガイド層からの距離に応じて単調に減少させ、かつふっ酸系のエッチャントを使用することにより、クラッド層を逆メサ型リッジ状に形成できる。
請求項（抜粋）：
Al Ga As 系のリッジ導波型セルフアライン半導体レーザであって、活性層と、活性層を上下から挟む下部クラッド層と上部クラッド層の対とを少なくとも有する化合物半導体積層構造と、最下層にAl x Ga1-xAs からなる光ガイド層を、その上にAl y Ga1-yAsからなる上層のクラッド層をそれぞれ有して、化合物半導体積層構造上に逆メサ型リッジ状に形成された光導波路構造とを備え、光ガイド層のAl 含有率Xを0.1≦X≦0.3の範囲に規制し、かつ上層のクラッド層のAl 含有率Yを光ガイド層のAl 含有率Xより大きくして、上層のクラッド層をエッチングする際、光ガイド層がエッチング阻止層として働くように構成し、更に、上層のクラッド層のAl 含有率Yを光ガイド層からの距離に応じて単調に減少させ、かつふっ酸系のエッチャントを使用して上層のクラッド層を逆メサ型リッジ状にウエットエッチングされるようにしたことを特徴とするAl Ga As 系のリッジ導波型セルフアライン半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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