特許

J-GLOBAL ID：200903074608652247

レーザアブレーシヨン技術に従つて金属基体上に配向した薄膜を形成する方法およびそれによつて得られた製品

発明者： スドヒア・ダタトラヤ・サブカー ,  カール・マレー・ペニー
出願人/特許権者： ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ
代理人 (1件)： 生沼 徳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-101489
公開番号（公開出願番号）：特開平5-148621
出願日： 1992年04月22日
公開日（公表日）： 1993年06月15日
要約：

【要約】高出力パルスレーザを用いたレーザアブレーション技術に従って金属基体上にチタン酸ストロンチウム(SrTiO3 )を蒸着することによって蒸着層が形成される。かかる蒸着層はそのままで高密度コンデンサとして利用することができる。あるいはまた、かかる蒸着層をCO2 レーザビームで処理して緩衝層を形成した後、その上に超伝導体層を蒸着することによって導電性の良い超伝導製品を製造することもできる。

請求項（抜粋）：

(a) アブレーション技術に従って基体上にチタン酸ストロンチウムターゲットの一部を蒸着することによって前記基体上に結晶を含む蒸着層を形成し、次いで(b) 前記蒸着層に局部熱源を照射することによって前記結晶の整列状態を向上させる両工程を含むことを特徴とする、基体上に超伝導体用の緩衝層を形成するための方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-197565
  
• 特開平1-252534
  
• 特開昭64-024323