特許
J-GLOBAL ID：200903074617750057
炭化珪素半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-229486
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074192
出願日： 1995年09月06日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：
【要約】【課題】高耐圧、低損失、低閾値電圧の炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】n+ 型炭化珪素半導体基板1とn- 型炭化珪素半導体層2とp型炭化珪素半導体層3とが順次積層されている。p型炭化珪素半導体層3内の表層部の所定領域にn+ 型ソース領域4が形成され、溝6がn+ 型ソース領域4とp型炭化珪素半導体層3を共に貫通してn- 型炭化珪素半導体層2に達している。溝6の側面におけるn+ 型ソース領域4とp型炭化珪素半導体層3とn- 型炭化珪素半導体層2の表面には、p型炭化珪素半導体薄膜層7が延設されている。溝6内と溝6の開口部付近でのn+ 型ソース領域4の表面にはゲート絶縁膜8を介してゲート電極層9が配置されている。p型炭化珪素半導体層3の表面および低抵抗p型炭化珪素領域5の表面にはソース電極層11が、n+ 型炭化珪素半導体基板1の表面にはドレイン電極層12が形成されている。
請求項（抜粋）：
第1導電型の低抵抗半導体層と第1導電型の高抵抗半導体層と第2導電型の第1の半導体層とが順に積層されることにより構成され、単結晶炭化珪素よりなる半導体基板と、前記第1の半導体層内の表層部の所定領域に形成された第1導電型の半導体領域と、前記半導体領域と前記第1の半導体層を貫通し前記高抵抗半導体層に達する溝と、前記溝の側面における前記半導体領域と前記第1の半導体層と前記高抵抗半導体層の表面に延設され、炭化珪素の薄膜よりなる第2導電型の第2の半導体層と、前記半導体領域の表面の一部と、前記第2の半導体層の表面および前記溝内での高抵抗半導体層の表面に延設されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の表面に形成されたゲート電極層と、前記第1の半導体層の表面および前記半導体領域の表面の一部のうち少なくとも前記半導体領域の表面の一部に形成された第1の電極層と、前記低抵抗半導体層の表面に形成された第2の電極層とを備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。
FI (4件)：
H01L 29/78 652 E
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 653 B
, H01L 29/78 653 C
