特許

J-GLOBAL ID：200903074620105740

薄膜トランジスター及びその製造方法

発明者： 河 炯讃
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 蔦田 璋子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-162080
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077487
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 狭い面積でも十分なチャンネル長さを確保するためにトレンチを形成し、トレンチ構造に薄膜トランジスターのチャンネルを形成した薄膜トランジスターを提供する。【構成】 SRAM又はLCDに適用される薄膜トランジスターとその製造方法に関し、特に、狭い面積でも十分なチャンネル長さを確保して薄膜トランジスターオフ動作の時、漏洩電流を減少させ、又薄膜トランジスターオン動作の時にも十分なチャンネル面積を確保して駆動電流を増加させ、LCD製造の時パネルで薄膜トランジスターが占める面積を減らして、解像度を高め得るトレンチサラウンディングゲート構造を持つ薄膜トランジスター及びその製造方法である。

請求項（抜粋）：

第1絶縁膜の予定された部分が除去されたトレンチと、上記のトレンチ表面に沿って形成された薄膜トランジスターゲートと、上記の薄膜トランジスターゲートの上部面に形成されたゲート絶縁膜と、上記のゲート絶縁膜の上部面に形成された薄膜トランジスターチャンネルと、上記の薄膜トランジスターチャンネルの上部面に形成されたゲート絶縁膜と、上記のゲート絶縁膜の上部に形成され、下部の薄膜トランジスターゲートと電気的に接続された薄膜トランジスターゲートと、上記の薄膜トランジスターチャンネルの両端部に接続されてから形成された薄膜トランジスターのソース、ドレインを具備するトレンチサラウンディングゲート構造を持つ薄膜トランジスター。