特許

J-GLOBAL ID：200903074622354798

半導体受光素子

発明者： 鬼頭 泰浩
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-004335
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200134
出願日： 1997年01月14日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体受光素子に関し、ボンディング強度が高いフリップ・チップ・ボンディング構造をもち、又、浮遊容量が少ない受光素子を実現しようとする。【解決手段】 半導体受光素子Dに於ける表面の略中央に形成され且つ受光部分からの信号を取り出すp側バンプ・メタル32と、そのp側バンプ・メタル32の周辺に形成されて信号取り出し側と離隔した箇所では反対導電型半導体層とコンタクトするn側バンプ・メタル33及び該信号取り出し側と近い箇所では電気的に絶縁されたダミー・バンプ・メタル34とを備える。

請求項（抜粋）：

素子表面の略中央に形成され且つ受光部分からの信号を取り出す一導電型側バンプ・メタルと、該一導電型側バンプ・メタルの周辺に形成されて信号取り出し側と離隔した箇所では反対導電型半導体層とコンタクトする反対導電型側バンプ・メタル及び該信号取り出し側と近い箇所では電気的に絶縁された反対導電型側バンプ・メタルとを備えてなることを特徴とする半導体受光素子。