特許
J-GLOBAL ID:200903074622653370
放射線画像変換パネル及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-035201
公開番号(公開出願番号):特開2003-232895
出願日: 2002年02月13日
公開日(公表日): 2003年08月22日
要約:
【要約】【課題】 輝度の高い放射線画像変換パネル及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、少なくとも一層の該輝尽性蛍光体層が下記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体から構成され、該輝尽性蛍光体1kg中に含まれるSiが10mg未満であること特徴とする放射線画像変換パネル。一般式(1) M1X・eA式中、M1はRbまたはCs、XはBrまたはI、AはEu、Tb、In、Cs、Ga、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、CuまたはMgを表し、eは0<e≦0.2の数値を表す。
請求項(抜粋):
支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、少なくとも一層の該輝尽性蛍光体層が下記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体から構成され、該輝尽性蛍光体1kg中に含まれるSiが10mg未満であること特徴とする放射線画像変換パネル。一般式(1) M1X・eA式中、M1はRb及びCsから選ばれるアルカリ金属、XはBr及びIから選ばれるハロゲン、AはEu、Tb、In、Cs、Ga、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属、eは0<e≦0.2の数値を表す。
IPC (3件):
G21K 4/00
, C09K 11/61 CPF
, G01T 1/00
FI (3件):
G21K 4/00 M
, C09K 11/61 CPF
, G01T 1/00 B
Fターム (33件):
2G083AA03
, 2G083BB01
, 2G083CC03
, 2G083DD02
, 2G083DD12
, 2G083EE03
, 4H001CA08
, 4H001XA35
, 4H001XA37
, 4H001XA53
, 4H001XA55
, 4H001YA11
, 4H001YA12
, 4H001YA29
, 4H001YA31
, 4H001YA39
, 4H001YA47
, 4H001YA49
, 4H001YA55
, 4H001YA58
, 4H001YA59
, 4H001YA60
, 4H001YA62
, 4H001YA63
, 4H001YA64
, 4H001YA65
, 4H001YA66
, 4H001YA67
, 4H001YA68
, 4H001YA69
, 4H001YA70
, 4H001YA71
, 4H001YA81
引用特許:
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