特許
J-GLOBAL ID：200903074627528107
ドライエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-223523
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053184
出願日： 1992年07月31日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】 3層レジスト・プロセスにおいて、中間層に対して高選択性を維持しながら下層レジスト層をエッチングする。【構成】 N原子を含む材料で中間層を形成し、プラズマ中に遊離のS(イオウ)が放出される条件下でエッチングを行う。このSは、エッチング・ガスの分解生成物であっても、あるいはエッチング・チャンバの内壁面に設けられたS系材料層がプラズマと接触して供給されるものであっても良い。たとえば、上層レジスト・パターン12とその下のSi3 N4 中間層パターン10aをマスクとし、S2 F2 /O2 混合ガスで下層レジスト層10をエッチングすると、Si3 N4中間層パターン10aが露出した時点でその表面にポリチアジル(SN)x を主体とする窒化イオウ系化合物が堆積し、その表面保護効果により選択性が向上する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された有機材料層を所定の形状にパターニングされた無機材料層をマスクとしてエッチングするドライエッチング方法において、前記無機材料層として窒素を構成元素として含む材料層を用い、かつ前記エッチングは放電解離条件下でプラズマ中に遊離のSを放出するイオウ系化合物とO2 とを含むエッチング・ガスを用いて少なくとも該無機材料層の表面に窒化イオウ系化合物を堆積させながら行うことを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/027
