特許

J-GLOBAL ID：200903074629477780

EL表示素子

発明者： 宇野 茂樹 ,  桂 正樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-239600
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082260
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 基板上の透明電極による段差を解消し、信頼性の高いEL表示素子を提供する。【構成】 複数の透明電極2をストライプ状に形成してなる透明基板1上に、下部絶縁層3と、EL発光層4と、上部絶縁層5とを順に積層するとともに、前記上部絶縁層5上に前記基板の透明電極2と交差するように複数の対向電極6をストライプ状に形成してなるEL素子において、前記透明基板上に形成された各透明電極間の凹所に、飽和珪フッ化水素酸水溶液から析出させたSiO2を主体とする絶縁性無機物7を充填する。

請求項（抜粋）：

複数の透明電極をストライプ状に形成してなる透明基板上に、下部絶縁層と、EL発光層と、上部絶縁層とを順に積層するとともに、前記上部絶縁層上に前記基板の透明電極と交差するように複数の対向電極をストライプ状に形成してなるEL素子において、前記透明基板上に形成された各透明電極間の凹所が、飽和珪フッ化水素酸水溶液から析出させたSiO2 を主体とする絶縁性無機物により充填されていることを特徴とするEL表示素子。

IPC (3件)：

H05B 33/28 ,  C09K 11/00 ,  H05B 33/22