特許
J-GLOBAL ID：200903074632941691
半導体ウエハの湿式処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-084716
公開番号（公開出願番号）：特開平7-289825
出願日： 1994年04月22日
公開日（公表日）： 1995年11月07日
要約：
【要約】【目的】 ウエハ間の隙間でウエハ処理液が滞留することを防止して、洗浄処理後のウエハの表面を清浄に保つことが可能なウエハ湿式処理装置を得ることを目的とする。【構成】 内槽21と外槽20とを結ぶように循環濾過装置5Aが設けられ、内槽21に流れ込んだウエハ処理液3は、循環濾過装置5Aを介して外槽20に送液される。【効果】 除去された異物11は、重力と同じ方向に流れるウエハ処理液3によって、ウエハ8間から押し出されるので、ウエハ8間の隙間が狭くなるように配置されている場合にも、ウエハ8間に異物11が滞留することを防止できる。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの表面の異物を除去するための処理液が貯溜された内槽と、前記内槽の周囲に近接して設けられた外槽とを有し、前記内槽と前記外槽との間で前記処理液を循環させると共に、前記処理液を濾過させるための循環濾過手段を備える半導体ウエハの湿式処理装置において、前記循環濾過手段が、前記内槽から前記外槽に向けて前記処理液を送液し、前記外槽は、前記循環濾過手段によって送液された前記処理液をオーバーフローさせて前記内槽に供給することを特徴とする半導体ウエハの湿式処理装置。
IPC (3件)：
B01D 37/00
, H01L 21/304 341
, H01L 21/304
