特許
J-GLOBAL ID:200903074633265371

太陽電池の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-300518
公開番号(公開出願番号):特開平5-136444
出願日: 1991年11月15日
公開日(公表日): 1993年06月01日
要約:
【要約】【目的】 基板が単結晶の場合でも多結晶の場合でも容易に表面に凹凸を形成し、これを使用した太陽電池の効率を改善する。【構成】 シリコン基板1の表面にガラスペースト2により適宜のパターンを形成し燒成してガラス層を形成し、これをアルカリ溶液中で処理して多数の凹凸を形成する。
請求項(抜粋):
半導体ウエハの受光面となる表面にガラスペーストのパターンを形成し燒成してガラス層を形成する工程と、この表面をアルカリ溶液中で処理して受光面に多数の凹凸を形成する工程とを有することを特徴とする太陽電池の製造方法。
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開昭62-237768
  • 特開昭56-002625
  • 特開昭59-113654
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