特許
J-GLOBAL ID:200903074637586768

半導体装置用回路基板及び半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 青山 葆 ,  河宮 治 ,  稲葉 和久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-230246
公開番号(公開出願番号):特開2004-071888
出願日: 2002年08月07日
公開日(公表日): 2004年03月04日
要約:
【課題】高温条件下でも半導体素子を位置決めでき、絶縁基板のサイズを小さくできると共に、異なるサイズの半導体素子を搭載する場合にもコストを抑制する。【解決手段】半導体装置用回路基板10は、絶縁基板1の上に導電性材料からなる回路パターン2を有し、半導体素子を配置する領域3と、前記領域を囲む溝部4を有する。また半導体装置20は、導電性材料からなる回路パターン2を有する絶縁基板1と、前記絶縁基板の回路パターンの上に配置された半導体素子6とを備え、前記半導体素子を配置する領域と、前記領域を囲む溝部とを有する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
絶縁基板の上に導電性材料からなる回路パターンを有する半導体装置用回路基板であって、 半導体素子を配置する領域と、前記領域を囲む溝部を有することを特徴とする半導体装置用回路基板。
IPC (3件):
H01L21/52 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18
FI (2件):
H01L21/52 A ,  H01L25/04 Z
Fターム (2件):
5F047AA17 ,  5F047AB01

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