電界効果型トランジスタおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (13件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 米田圭啓 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-194710
公開番号（公開出願番号）：特開2007-013025
出願日： 2005年07月04日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：

【課題】短チャネル効果を防止すると共に、移動度の向上および接合リーク電流の低減が可能な電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】本発明の電界効果型トランジスタは、半導体基板1の上に設けられたアンドープ層5、6と、アンドープ層5、6の上にそれぞれ設けられたソース14、20およびドレイン15、21と、アンドープ層5、6の上にそれぞれ設けられたゲート絶縁膜7、8と、ゲート絶縁膜7、8の上にそれぞれ設けられたゲート電極9、10と、ゲート電極9、10の側面上にそれぞれ設けられたサイドウォール絶縁膜19、13とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体層と、前記第1導電型の半導体層の上に設けられたアンドープ半導体層と、前記アンドープ半導体層の上に、互いに離間して設けられた第2導電型の半導体層からなるソースおよびドレインと、前記アンドープ半導体層のうち前記ソースと前記ドレインとの間に位置する領域の上に、前記ソースおよび前記ドレインとは離間して設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極と前記ソースおよび前記ドレインとの間に介在する第2の絶縁膜とを備える電界効果型トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/088

FI (4件)：

H01L29/78 301B , H01L29/78 301S , H01L27/08 102B , H01L29/78 301H

Fターム (60件)：

5F048AA08 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA02 , 5F048BA14 , 5F048BB04 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BB19 , 5F048BC01 , 5F048BD09 , 5F048BE01 , 5F048BE03 , 5F048BE09 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BF17 , 5F048BF18 , 5F048BG13 , 5F048DA23 , 5F140AA11 , 5F140AA21 , 5F140AA24 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BB13 , 5F140BC12 , 5F140BC13 , 5F140BD04 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF43 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG36 , 5F140BG45 , 5F140BG53 , 5F140BH06 , 5F140BH27 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK18 , 5F140CB08 , 5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平1-186680号公報

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