特許

J-GLOBAL ID：200903074644027839

半導体装置の製造方法

発明者： 里 真一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-132540
公開番号（公開出願番号）：特開平5-323569
出願日： 1992年05月25日
公開日（公表日）： 1993年12月07日
要約：

【要約】【構成】 隣接する各レジストパターンの間隔が露光光の波長と同程度である第1パターンと、隣接する各レジストパターンの間隔が露光光の波長よりも大きい第2パターンとの組み合わせによるパターンを露光によりポジ型レジストに形成する際、前記第1パターンを構成する各レジストパターンの対向する側の端部をクロムパターンで規定し、前記第2パターンを構成する各レジストパターンの対向する側の端部をシフタで規定する半導体装置の製造方法。【効果】 各レジストパターンの間隔が露光光の波長よりも大きい第2パターンを構成するパターンの端部では、位相シフト効果により、強く遮光されることとなり、第2パターンを構成するパターンの端部と第1パターンを構成するパターンの端部とのマスクからのシフト量をほぼ同程度にすることができ、高精度のパターニングを行うことができる。

請求項（抜粋）：

隣接する各レジストパターンの間隔が露光光の波長と同程度である第1パターンと、隣接する各レジストパターンの間隔が露光光の波長よりも大きい第2パターンとの組み合わせによるパターンを露光によりポジ型レジストに形成する際、前記第1パターンを構成する各レジストパターンの対向する側の端部をクロムパターンで規定し、前記第2パターンを構成する各レジストパターンの対向する側の端部をシフタで規定することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W