特許

J-GLOBAL ID：200903074647756386

シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

発明者： 池田 直紀 ,  藤川 孝 ,  末岡 浩治
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-017794
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204534
出願日： 1998年01月14日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 約1080°C以下の低温のデバイス製造工程においても充分なゲッタリング効果(IG)が発揮でき、さらに低コスト化を図るために炭素濃度及びシリコンエピタキシャル膜厚を最適化したIG能力のあるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。【解決手段】 CZ法等により炭素を比較的低い濃度で故意に入れて引き上げた単結晶シリコンを用いて作製されたシリコンウェーハを鏡面研磨後、5μm以下の薄いシリコンエピタキシャル膜を形成し、その後、微小欠陥を形成するための熱処理を施すことにより、目的のゲッタリング効果(IG)が発揮できる。

請求項（抜粋）：

半導体デバイス用シリコンウェーハにおいて、炭素濃度が0.1〜2.5×1016atoms/cm3(New ASTM法)、酸素濃度が10〜18×1017atoms/cm3(Old ASTM法)の範囲に制御してCZ法もしくはMCZ法にて引き上げられたシリコン単結晶をシリコンウェーハに切り出した後、ウェーハの片面又は両面を鏡面研磨仕上げし、さらにその表面にシリコンのエピタキシャル膜を成膜した後、前記シリコン結晶の内部に微小欠陥を形成する熱処理を行うシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/322 Y ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-061343
  
• 特開昭63-227026
  
• 特開平4-061343