特許

J-GLOBAL ID：200903074651394731

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： 天野 伸治 ,  奥野 英一 ,  山本 剛
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-310865
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210637
出願日： 2000年10月11日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】 炭化珪素よりなる絶縁ゲート型の電界効果トランジスタにおいて、さらなるオン抵抗低減を図る。【解決手段】 炭化珪素からなる表面チャネル層5の表面に熱酸化によりゲート酸化膜7を形成する工程を有する炭化珪素半導体装置の製造方法において、酸化膜形成工程では、酸化珪素(SiO2 )と炭素(C)との反応で示される炭化珪素(SiC)の再結晶化反応式、【化1】SiO2+3C→SiC+2CO+G3におけるGibbsの自由エネルギーG3が負になるような条件下で熱酸化を行うことを特徴としている。これにより、残留炭素を炭化珪素(SiC)と酸化炭素(COx)に変化させる。これにより、一酸化炭素が外部に放出されて、残留炭素を低減することができる。従って、界面は炭化珪素と二酸化珪素のみで形成することができる。

請求項（抜粋）：

炭化珪素からなる半導体層(5)が備えられた基板を用意して、前記半導体層の表面に酸化膜(7)を形成する酸化膜形成工程を有し、該酸化膜形成工程が、熱酸化により該酸化膜を形成する工程を有してなる炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記酸化膜形成工程における前記熱酸化工程は、酸化珪素(SiO2 )と炭素(C)との反応で示される炭化珪素(SiC)の再結晶化反応式、【化1】SiO2+3C→SiC+2CO+G3におけるGibbsの自由エネルギーG3が負になるような条件下で前記熱酸化を行うことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/336

FI (11件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 C ,  H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 F ,  H01L 29/78 658 F

Fターム (11件)：

5F040DA22 ,  5F040DC02 ,  5F058BB01 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BF56 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BH04 ,  5F058BH05 ,  5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 炭化珪素半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-028624   出願人：富士電機株式会社
• 炭化ケイ素上の酸化物層の欠陥を少なくするための方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-518224   出願人：クリーリサーチインコーポレイテッド
• SOIウエーハの熱処理方法およびSOIウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-318896   出願人：信越半導体株式会社
• 炭化珪素半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-040550   出願人：株式会社デンソー
• 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-060189   出願人：株式会社デンソー
• 炭化珪素半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-077876   出願人：株式会社デンソー