化合物半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-146101
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340130
出願日： 1995年06月13日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】ウルツ鉱型構造の化合物半導体を含む化合物半導体装置に関し、生産性を向上するとともに、平坦な半導体膜を得ること。【構成】結晶構造が立方晶系に属する半導体基板11と、前記半導体基板11の主面に形成された立方晶系半導体層12と、前記立方晶系半導体層12の上に形成され且つ前記立方晶系半導体層12と同じ族のウルツ鉱型結晶系半導体層13〜16とを含む。

請求項（抜粋）：

結晶構造が立方晶系に属する半導体基板と、前記半導体基板の主面の上方に形成されたウルツ鉱型結晶系半導体層と、前記半導体基板の主面と前記ウルツ鉱型結晶系半導体層との間に形成され且つ前記ウルツ鉱型結晶系半導体層と同じ化合物族の立方晶系半導体層とを有することを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/20 , H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/20 , H01S 3/18

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平2-275682
特開平4-242985
特開平2-288371

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審査官引用 (2件)

特開平2-275682
特開平4-242985

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