特許

J-GLOBAL ID：200903074657721530

プラズマ装置及びプラズマ処理方法

発明者： 出口 洋一 ,  川上 聡
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 金本 哲男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-034249
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232088
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 プラズマ処理される被処理物における実際のVDCレベルをモニタするための装置を提供する。【構成】 高周波電源11による高周波電力によって処理室1内にプラズマを発生させる装置において、半導体ウエハWなどの被処理物周辺位置にVDCモニタ用のモニタ端子41を設ける。モニタ端子41からのモニタ信号はVDCモニタ46に入力される。【効果】 半導体ウエハWにおける実際のVDCレベルが、VDCモニタ46によってモニタできる。

請求項（抜粋）：

高周波電源による高周波電力を処理室内の電極に印加して処理室内にプラズマを発生させ、当該処理室内の被処理物を処理するプラズマ装置において、当該被処理物周辺位置にVDCモニタ用の端子を設けたことを特徴とする、プラズマ装置。

IPC (5件)：

H01L 21/302 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/68 ,  H05H 1/46