特許

J-GLOBAL ID：200903074663180397

シリサイド膜の形成方法

発明者： ゾン・ス・ビョン ,  ヒョン・ズン・キム
出願人/特許権者： ゴールド スター エレグトロン カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-017747
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295881
出願日： 1994年01月19日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】 シリコン消耗を最小にしドーパントの再分布を抑制し薄い接合を有するようにすること。【構成】 シリコン基板上に耐火性金属とコバルト膜を真空状態のまま蒸着する工程と、熱処理して前記シリコン基板と耐火性金属との境界にシリサイドを形成する工程と、エッチング溶液で未反応の前記コバルト膜と耐火性金属を除去する工程と、からなる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に耐火性金属とコバルト膜を真空状態のまま蒸着する工程と、熱処理して前記シリコン基板と耐火性金属との境界にシリサイド膜を形成する工程と、エッチング溶液で未反応の前記コバルト膜と耐火性金属を除去する工程と、を有することを特徴とするシリサイド膜の形成方法。