薄膜コンデンサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-278613
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178153
出願日： 1997年10月13日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】誘電体薄膜を結晶化させるための熱によって基板や下地電極が受けるダメージを軽減した、品質に優れた薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】基板11上に第1の電極14、誘電体薄膜15及び第2の電極16が形成された薄膜コンデンサであって、この誘電体薄膜15の結晶構造がパイロクロア型構造である。そして、このパイロクロア型構造の誘電体薄膜としては、Pb2Nb2O7、Sr2Ta2O7、Pb3Nb2O8、Pb5Nb4O15又はPb3Nb4O13が好ましい。

請求項（抜粋）：

基板上に第1の電極、誘電体薄膜及び第2の電極が形成された薄膜コンデンサであって、該誘電体薄膜の結晶構造がパイロクロア型構造であることを特徴とする、薄膜コンデンサ。

IPC (7件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01B 3/12 312 , H01G 4/33 , H01G 4/10 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 27/04 C , H01B 3/12 312 , H01G 4/06 102 , H01G 4/10 , H01L 27/10 651

前のページに戻る