圧力センサおよび電気化学的センサを組み合わせたセンサの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富村潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-153083
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084145
出願日： 1997年05月28日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】物理的および電気化学的センサの集積された組み合わせを製造するための簡単かつ経済的に実行可能な方法を提供する。【解決手段】シリコンから成る基板1の上にISFET用に基本構造が作られる。pH感受性層としての窒化物層7を施した後にISFETの範囲が保護層により覆われる。圧力センサ用に予定されている範囲に、ダイアフラムとして予定されているポリシリコンから成る構造化された層10が空所11の上に作られる。センサおよび場合によっては他の集積されるデバイスの電気的接続および導体路面を形成するための他の工程はCMOSプロセスの枠内で実行される。ガスセンサの範囲内のIMOX層は湿式化学的に窒化物層7まで除去される。白金接触部とPECVD酸化物およびPECVD窒化物から成る別の保護層が施される。圧力センサの露出エッチングはガスセンサの露出エッチングの前もしくは別の保護層を施した後に行われる。

請求項（抜粋）：

ミクロ機械的圧力センサおよび電気化学的センサが、a)基板(1)内に導電範囲(3、5)が形成される工程と、b)少なくとも1つの電気絶縁層を含んでいる電気化学的センサ(CS)用に基本構造が形成される工程と、c)電気化学的センサのこの基本構造が、圧力センサ用に予定されている範囲を露出させる保護層により覆われる工程と、d)圧力センサ用にセンサ層(10)が析出され、構造化され、またエッチング開口(29)を設けられる工程と、e)センサ層と基板との間に空所(11)がエッチング除去される工程と、f)誘電材料から成るプレーナー化層(13)が全面に施される工程と、g)電気端子用に予定されている範囲への導電接続部が形成される工程と、h)電気化学的センサ用に予定されている範囲がエッチング除去され、また少なくとも1つの貴金属電極(21)が析出および構造化される工程と、i)貴金属電極用に予定されている別の保護層(16、17)が析出される工程と、j)電気化学的センサの予定されている形態のそのつどの作用に対して必要な別の層が施され、構造化される工程とにより基板の上に集積され、工程g)とh)との間もしくは工程i)とj)との間に圧力センサのセンサ層(10)が外方に向かって所定の作用に対して必要な範囲内で露出されることを特徴とする圧力センサおよび電気化学的センサを組み合わせたセンサの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 49/00 , G01L 9/12 , G01N 27/414 , H01L 29/84

FI (4件)：

H01L 49/00 Z , G01L 9/12 , H01L 29/84 Z , G01N 27/30 301 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭60-129654
特開昭60-083379

審査官引用 (4件)

特開昭60-129654
特開昭60-129654
特開昭60-083379

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