特許

J-GLOBAL ID：200903074663841865

半導体集積回路装置

発明者： 瀬川 礼二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-301999
公開番号（公開出願番号）：特開平6-149394
出願日： 1992年11月12日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路において、複数ある論理ユニットに対して各々最適な電源電圧を選択的に与えることにより全体の低消費電力化をはかる。【構成】 半導体基板に、MOSトランジスタ回路8,9を形成している装置において、外部から供給される電源電圧1を電圧選択信号4,5に応じてそれぞれ降下してそれぞれ別の回路に内部電源電圧2,3を供給する複数の電源電圧降下回路6,7を内蔵したことを特徴とする半導体集積回路装置である。【効果】 製造後にテスター等で測定された各機能ブロックの電圧特性に応じて各機能ブロックの電源電圧をそれぞれ電圧選択信号に応じて降下して供給できるため、各機能ブロックに対して必要以上の高電源電圧による無駄な電力の消費を押えることができる為、1チップレベルでの低消費電力化がはかれる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に、MOSトランジスタ回路を形成している装置において、外部から供給される電源電圧を電圧選択信号に応じてそれぞれ降下してそれぞれ別の回路に内部電源電圧を供給する複数の電源電圧降下回路を内蔵したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

G05F 1/56 310 ,  G05F 1/56 ,  H03K 19/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-128053
  
• 特開平1-296323
  
• 特開昭57-085110