特許

J-GLOBAL ID：200903074667389550

半導体電極及び光電変換素子

発明者： 小野 好之 ,  高田 北斗 ,  山崎 芳文 ,  佐藤 克洋 ,  今井 彰 ,  廣瀬 英一
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-255826
公開番号（公開出願番号）：特開2001-076778
出願日： 1999年09月09日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 低コストであり、光溶解による劣化が起こらず、量子効率に優れた半導体電極、及び光電変換効率に優れた光電変換素子の提供。【解決手段】 p型伝導性であり、鉄族酸化物を含む金属酸化物半導体層を有することを特徴とする半導体電極である。また、二つの半導体電極を、それに接した電解質層を介して互いの半導体電極表面を対面させて配置した光電変換素子であって、一方の半導体電極がn型伝導性の金属酸化物半導体層を有し、他方の半導体電極が前記半導体電極であることを特徴とする光電変換素子である。更に、二つの半導体電極を、それに接した電解質層を介して互いの半導体電極表面を対面させて配置した光電変換素子であって、一方の半導体電極がn型伝導性の金属酸化物半導体層を有し、他方の半導体電極がp型伝導性の金属酸化物半導体層を有することを特徴とする光電変換素子である。

請求項（抜粋）：

p型伝導性であり、鉄族酸化物を含む金属酸化物半導体層を有することを特徴とする半導体電極。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z ,  H01L 31/04 M

Fターム (11件)：

5F051AA14 ,  5F051BA14 ,  5F051FA30 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032CC11 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032EE20